RB-C對(duì)比試塊疑問(wèn)

JB/T47013.3-2015的規(guī)定，管子環(huán)向?qū)咏宇^，外徑≥159-500mm,檢測(cè)方法按附錄K進(jìn)行，file:///C:/DOCUME~1/ly/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image002.jpg

哪問(wèn)題如下：

1 按K4.1和K4.2條的理解，是不是一定要制做RB-C對(duì)比試塊？因?yàn)榧词褂?/font>CSK-ⅡA制作DAC曲線，也要在RB-C試塊上進(jìn)行修正，哪還不如直接在RB-C試塊上制作DAC曲線，這樣更省事。

2 按照以往經(jīng)驗(yàn)，如果采用高頻、小晶片探頭來(lái)進(jìn)行檢測(cè)，保證探頭接觸面與工件最大間隙小于0.5mm,,能否能直接采用CSK-ⅡA制作DAC曲線而不用在RB-C試塊上進(jìn)行修正？或者用CSK-ⅡA做好曲線后，直接在管子上進(jìn)行耦合補(bǔ)償就行？（好像沒(méi)有找到可以這樣做的依據(jù)？）

3 如果要制做RB-C試塊，工作量太大(現(xiàn)場(chǎng)管道規(guī)格、種類繁多)，大家有什么好的辦法？

  謝謝