相控陣檢測(cè)，能量接收的疑問(wèn)

浩瀚 發(fā)表于 2015-1-28 14:27
我把問(wèn)題再整理一遍。掃描方式以S掃描方式為例（探頭中所有晶片都被激發(fā)，只是激發(fā)時(shí)間不同，所有聚焦法則 ...

1，當(dāng)缺陷恰好處在聚焦法則的焦點(diǎn)的位置，回波會(huì)被所有活動(dòng)孔徑的晶片接收，而且是同時(shí)接收
      （活動(dòng)孔徑中所有晶片發(fā)出的柱面波同時(shí)撞擊到該缺陷）
        我想問(wèn)一下， 這個(gè)接收時(shí)間點(diǎn) 與 發(fā)射下一組聚焦法則的時(shí)間點(diǎn) ，哪個(gè)靠前？      
不是同時(shí)接收，各個(gè)晶片對(duì)于缺陷反射波的接收時(shí)間先后順序符合各晶片的激發(fā)時(shí)間，即先激發(fā)的晶片先接收。先接收再激發(fā)下一組聚焦法則，否則會(huì)產(chǎn)生幻象波。
2，當(dāng)缺陷不在焦點(diǎn)的位置，比如缺陷在焦點(diǎn)的前邊，
     缺陷波是不是被所有的晶片接收？  接收時(shí)間點(diǎn) 與  下一組聚焦法則的發(fā)射時(shí)間點(diǎn) 哪個(gè)靠前？
被所有晶片接收，接收靠前，否則產(chǎn)生幻象波。

你可以把一個(gè)VPA當(dāng)做一個(gè)常規(guī)單晶探頭。