雙晶直探頭檢測(cè)產(chǎn)生偽缺陷

使用一個(gè)100mm×50mm的試塊進(jìn)試驗(yàn)。如下圖，真實(shí)缺陷為50mm，偽缺陷在75mm左

底波后面存在兩個(gè)偽缺陷:底波100mm          偽缺陷125mm           偽缺陷150mm

偽缺陷在試塊檢測(cè)時(shí)間隔距離為25mm左右。

我分析了下：雙晶探頭由發(fā)射和接收單元組成，發(fā)射和接收單元都存在延遲塊。在零點(diǎn)校準(zhǔn)時(shí)，我們會(huì)把延遲塊的延遲時(shí)間校準(zhǔn)過(guò)來(lái)。但是如果延遲塊和被檢測(cè)物界面發(fā)生二次反射，這樣就會(huì)引起偽缺陷。如下圖：

藍(lán)色線表示延遲塊和被檢測(cè)物界面二次反射聲程；
橙色線表示延遲塊和被檢測(cè)物界面三次反射聲程；
聲程計(jì)算方式：s = t. v
超聲檢測(cè)試塊里的v = 5900m/s，而延遲塊中的真實(shí)速度卻是v0=2700m/s。已知偽缺陷的間隔是25mm，我們可以計(jì)算出延遲塊的厚度h0：
h0=t .v0;
t=s/v;
h0= v0 .s/v=11.5mm

跟大家交流一下

圖文結(jié)合，分析的很有條。只是有兩點(diǎn)疑問：
1、用的是100mm*50mm試塊，根據(jù)你的儀器顯示，探頭打的是100mm深度，那么寬度是50mm。底波（100mm）后面的波（125mm、150mm)也可能是側(cè)壁回波；
2、已知缺陷信號(hào)（50mm)的波高為45%，75mm處波高8.8%，相差5倍。在探頭延時(shí)塊內(nèi)反射一次。底波（100mm)波高105%，125mm處波高20%，也是相差5倍，為探頭延時(shí)塊內(nèi)反射一次。按照您的推理，150mm處回波為探頭延時(shí)塊內(nèi)的二次反射，那它應(yīng)該是（125mm）處信號(hào)波高的五分之一，與顯示不符。

xldw89sy 發(fā)表于 2016-8-12 22:10
圖文結(jié)合，分析的很有條。只是有兩點(diǎn)疑問：
1、用的是100mm*50mm試塊，根據(jù)你的儀器顯示，探頭打的是100mm ...

你說(shuō)的有道理，
第一個(gè)問題：可以用一個(gè)100mmx100mm的試塊對(duì)比下。
第二個(gè)問題：剛開始沒注意到這個(gè)問題，分析發(fā)現(xiàn)，150mm處的偽缺陷和50mm處的缺陷二次回波重合了所以能量沒有衰減。好問題~
圖片是沒有缺陷時(shí)的底波

xldw89sy 發(fā)表于 2016-8-12 22:10
圖文結(jié)合，分析的很有條。只是有兩點(diǎn)疑問：
1、用的是100mm*50mm試塊，根據(jù)你的儀器顯示，探頭打的是100mm ...

側(cè)壁回波干擾會(huì)很厲害么？我對(duì)這個(gè)沒有概念。下圖是我用單晶探頭在100mmx50mm試塊上做的實(shí)驗(yàn)，在142mm處有回波，這個(gè)是側(cè)壁回波干擾嗎？

M2M_NDTengineer 發(fā)表于 2016-8-13 14:43
側(cè)壁回波干擾會(huì)很厲害么？我對(duì)這個(gè)沒有概念。下圖是我用單晶探頭在100mmx50mm試塊上做的實(shí)驗(yàn)，在142mm處 ...

這個(gè)應(yīng)該是。特種設(shè)備教材上找到的