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標題: 相控陣檢測探頭參數(shù)的選擇 [打印本頁]
      

      
作者: furulong    時間: 2013-6-27 09:12
      
標題: 相控陣檢測探頭參數(shù)的選擇
      1、相控陣檢測比較難把握的就是如何選擇合適的探頭參數(shù)進行檢測，大家有沒有比較好的案例可以分享下。對于檢測不同厚度的工件，探頭激發(fā)的晶片數(shù)目、探頭頻率、晶片間距有沒有什么好的參考。
      
2、相控陣檢測的范圍是否應該在探頭的近場之內(nèi)？
      

      
作者: 糟老頭子    時間: 2013-6-27 10:24
      
 本帖最后由 糟老頭子 于 2013-6-27 10:27 編輯 
      

      
1.工件厚度厚的話，探頭頻率應小、晶片數(shù)量應多（也要看儀器配置，16:64/32:128還是？）、晶片間距應大；
      
2.不是的，近場區(qū)只是儀器能夠設置聚焦的范圍
      

      
作者: furulong    時間: 2013-6-28 08:12
      

      糟老頭子 發(fā)表于 2013-6-27 10:24
      
1.工件厚度厚的話，探頭頻率應小、晶片數(shù)量應多（也要看儀器配置，16:64/32:128還是？）、晶片間距應大；
      
2 ...

      
謝謝！儀器的配置是32/128。關(guān)于第二個問題，我看到一些資料說聚焦點應該設在工件最大深度處，即大于或等于檢測范圍。如果焦點不在探頭的近場區(qū)，那聚焦的效果會不會很差。所以我才提出檢測的范圍應該在近場之內(nèi)，不知是否有道理？
      

      
作者: 糟老頭子    時間: 2013-6-28 11:35
      
焦點應該設置在你關(guān)心的區(qū)域，但這點必須在近廠區(qū)之內(nèi)才有效，如果設置的焦距超出近場，則焦距會在自然焦距（即近廠區(qū)處）。當然并不是相控陣只能在近廠區(qū)探傷，這點和常規(guī)探頭是一樣的。
      
作者: 玫瑰鎮(zhèn)魂曲    時間: 2013-7-10 11:31
      

      furulong 發(fā)表于 2013-6-28 08:12
      
謝謝！儀器的配置是32/128。關(guān)于第二個問題，我看到一些資料說聚焦點應該設在工件最大深度處，即大于或等 ...

      
其實檢厚件晶片不一定要很多，一般儀器的孔徑只有16或者32，你晶片再多也就激發(fā)16或者32個，可以相對增大一點晶片面積，比如選用1.5*16這種單個晶片面積較大的頭探。
      
聚焦點一般不用設置在工件底部，除非對底面分辨率要求特別高，如果只是板材的話3/2板厚就差不多了~不過具體情況還是要現(xiàn)場調(diào)整，每個探頭的聚焦能量場是不一樣，一般是一個下面粗，上面細的梭型~
      

      
作者: 飛馬踏燕    時間: 2013-7-10 23:07
      
{:soso_e163:}
      
作者: furulong    時間: 2013-7-11 08:40
      

      玫瑰鎮(zhèn)魂曲 發(fā)表于 2013-7-10 11:31
      
其實檢厚件晶片不一定要很多，一般儀器的孔徑只有16或者32，你晶片再多也就激發(fā)16或者32個，可以相對增大 ...

      
謝謝你的經(jīng)驗分享！
      

      
作者: allen_hay    時間: 2013-7-11 10:33
      
選擇相控陣探頭的方法與常規(guī)探頭一樣，主要是考慮頻率和晶片尺寸，這些都是由你所需要檢測的對象決定的，后的，衰減大的材料選低頻，關(guān)注分辨率就選稍高的頻率，選較大尺寸晶片的探頭，適當增加電壓等，只要能達到你需要的靈敏度及分辨力，個人認為選什么型號的探頭都無所謂。
      

      
另外聚焦的設置，如果是進行全深度的檢測，嚴重不推薦將聚焦點設置在近場區(qū)內(nèi)，尤其是聲程較近的位置，這樣會嚴重影響其它位置的靈敏度。除非你對近場區(qū)的不同深度進行多次聚焦掃查，或者對單一位置進行重點關(guān)注。否則，請忽略相控陣的聚焦功能，風險很大的……（DDF功能除外）




      

      

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