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標(biāo)題: 探頭的入射點(diǎn)，真的在探頭上么？ [打印本頁(yè)]
      

      
作者: 李濟(jì)科    時(shí)間: 2013-3-10 06:28
      
標(biāo)題: 探頭的入射點(diǎn)，真的在探頭上么？
      如題。
      
作者: ndt066    時(shí)間: 2013-3-10 08:09
      
?
      
詳細(xì)！
      
沒(méi)太明白。
      
作者: 釣魚(yú)翁    時(shí)間: 2013-3-10 08:52
      
{:soso_e179:}
      
作者: 劉恩凱    時(shí)間: 2013-3-10 09:27
      
我感覺(jué)我們?cè)谟?jì)算的時(shí)候都忽略了耦合劑層的影響，實(shí)際上，滿(mǎn)足波形轉(zhuǎn)換的界面是在耦合劑層與被檢工件表面所發(fā)生的反射和折射現(xiàn)象，在講探頭面積時(shí)，提到有效探頭面積的概念，那么，我個(gè)人感覺(jué)應(yīng)該再提出有效探頭入射點(diǎn)，以及研究與實(shí)際入射點(diǎn)之間的關(guān)系。個(gè)人認(rèn)為，有效探頭入射點(diǎn)比實(shí)際入射點(diǎn)稍微前移一點(diǎn)，李老，您看那？晚輩的淺見(jiàn)！
      
作者: 李濟(jì)科    時(shí)間: 2013-3-10 10:41
      
 本帖最后由 李濟(jì)科 于 2013-3-10 18:48 編輯 
      

      
    謝謝劉先生參與討論。我常形容這個(gè)問(wèn)題，類(lèi)似個(gè)成語(yǔ)刻舟求劍。探頭上的標(biāo)識(shí)的入射點(diǎn)，實(shí)際上是過(guò)該點(diǎn)，通過(guò)耦合層，作工件表面的垂線(xiàn)，找到與工件表面的交點(diǎn)，或者說(shuō)，是掃查面上的相應(yīng)點(diǎn)，那才是真的進(jìn)入工件表面的入射點(diǎn)(請(qǐng)?jiān)彛?huà)說(shuō)羅唆了)。如果聲束向左下發(fā)射，而探頭上真的入射點(diǎn)，應(yīng)在實(shí)測(cè)入射點(diǎn)的右方，兩點(diǎn)有微小差距p，p與耦合層厚度和聲束傾斜角度有關(guān)。不知這樣理解對(duì)否？
      
作者: 糟老頭子    時(shí)間: 2013-3-10 14:07
      
我也這么認(rèn)為，但您要說(shuō)明說(shuō)明呢？
      
作者: 天才無(wú)憂(yōu)    時(shí)間: 2013-3-10 15:12
      
真正的入射點(diǎn)其實(shí)是在工件表面，我們實(shí)際測(cè)得的入射點(diǎn)就是工件表面的。
      
不過(guò)耦合劑厚度都這么小，沒(méi)必要這么較真吧。
      
作者: 飛馬踏燕    時(shí)間: 2013-3-10 16:38
      
加入討論
      
作者: 飛馬踏燕    時(shí)間: 2013-3-10 16:44
      
這個(gè)問(wèn)題理論上可以研究，在實(shí)際工作中只要操作得當(dāng)耦合劑層的影響可以忽略不計(jì)。
      
作者: 郭嘉明    時(shí)間: 2013-3-11 08:17
      
同意樓上觀點(diǎn)
      
作者: 劉恩凱    時(shí)間: 2013-3-11 10:51
      

      天才無(wú)憂(yōu) 發(fā)表于 2013-3-10 15:12 
      
真正的入射點(diǎn)其實(shí)是在工件表面，我們實(shí)際測(cè)得的入射點(diǎn)就是工件表面的。
      
不過(guò)耦合劑厚度都這么小，沒(méi)必要這 ...

      
請(qǐng)問(wèn)你實(shí)際測(cè)得的入射點(diǎn)在工件表面上，是怎么測(cè)得的？
      

      
作者: nde7225030    時(shí)間: 2013-3-11 13:43
      
這個(gè)問(wèn)題比較復(fù)雜。當(dāng)探頭在試塊上測(cè)試時(shí)的耦合劑層厚度與在工件上探測(cè)時(shí)的厚度一致時(shí)，情況會(huì)是怎么樣，厚度不一時(shí)，又會(huì)怎么樣。誤差可能不同。
      
作者: xiaowang    時(shí)間: 2013-3-11 14:50
      
{:soso_e100:}
      
作者: 丁偉臣    時(shí)間: 2013-3-11 15:07
      
入射點(diǎn)的意義：用來(lái)按聲程和角度進(jìn)行顯示的定位。
      
嚴(yán)格講，入射點(diǎn)并不是一個(gè)理論的點(diǎn)，因?yàn)槁暿哂幸欢ǖ膶挾龋瑥亩瑢?shí)際入射點(diǎn)的具體位置并不重要。
      
在測(cè)量中為了簡(jiǎn)化，我們僅假設(shè)回波來(lái)自聲束軸向上，故此時(shí)可采用簡(jiǎn)單的方法進(jìn)行軸線(xiàn)中心線(xiàn)的入射點(diǎn)測(cè)量。
      
作者: andas    時(shí)間: 2013-3-11 15:22
      
贊同丁老師的意見(jiàn)
      
作者: manzi    時(shí)間: 2013-3-11 15:57
      
謝謝李老師和丁老師
      
作者: zyylrq    時(shí)間: 2013-3-12 10:22
      
{:soso_e163:}
      
作者: zjgfr001    時(shí)間: 2013-3-12 12:46
      
探頭晶片發(fā)出的聲波不是一條直線(xiàn)，而是一束波。檢測(cè)時(shí)為了計(jì)算和定位方便而近似看成一直線(xiàn)在傳播，入射點(diǎn)不在探頭上，而是在被檢工件上。
      
作者: agzcfo    時(shí)間: 2013-3-12 15:08
      
{:soso_e163:}
      
作者: 李濟(jì)科    時(shí)間: 2013-3-13 10:42
      
    通常說(shuō)的“（斜）探頭的入射點(diǎn)” ，是指有耦合劑的情況下，實(shí)測(cè)的入射點(diǎn)，一般是在IIW或CSK-1A試塊上，在對(duì)應(yīng)R100圓柱曲面上測(cè)定的，即根據(jù)試塊上R100圓柱的圓心標(biāo)定的。入射點(diǎn)雖然標(biāo)在探頭上，實(shí)則代表工件上相應(yīng)的入射點(diǎn)。我常稱(chēng)這種方法為“刻舟求劍” 。所以，實(shí)測(cè)的探頭的入射點(diǎn)，并不是探頭(楔抉) 傾斜縱波聲軸的真正入射點(diǎn)，或者說(shuō)，實(shí)測(cè)的探頭入射點(diǎn)，雖然標(biāo)識(shí)在探頭上，但實(shí)際并不在探頭上。假如聲束向左下傾斜，真正入射點(diǎn)應(yīng)在實(shí)測(cè)探頭入射點(diǎn)的右側(cè)，二者有很小偏差P，P的大小與聲束傾角和耦合層厚度有關(guān)。
      
    討論這個(gè)問(wèn)題的目的，主要想探討耦合薄層，對(duì)傾斜入射縱波折射是否有影響，是否影響缺陷準(zhǔn)確定位。
      

      
作者: 心遠(yuǎn)路遙    時(shí)間: 2013-3-13 10:54
      
同意{:soso_e163:}
      
作者: Endlesslove    時(shí)間: 2013-3-13 13:19
      
{:soso_e179:}
      
作者: zyylrq    時(shí)間: 2013-3-13 14:11
      
{:soso_e163:}
      
作者: zongjian6498    時(shí)間: 2013-3-13 17:22
      
太高深了
      
作者: woshibaichi7pm    時(shí)間: 2013-3-13 18:50
      
學(xué)習(xí)。。。。。。
      
作者: zcy001zcy    時(shí)間: 2013-3-14 08:04
      
沒(méi)看明白，題目在哪？
      
作者: yxf    時(shí)間: 2013-3-14 09:59
      
贊一個(gè)的啦！！！
      
作者: 心心    時(shí)間: 2013-3-14 21:23
      
學(xué)習(xí)yixia
      
作者: wzs2648    時(shí)間: 2013-3-15 14:18
      
實(shí)際上入射點(diǎn)是變化的，當(dāng)探頭磨損后，入射點(diǎn)前移或后移，在實(shí)際探傷過(guò)程中，我們校準(zhǔn)探頭的K值變化，也可發(fā)現(xiàn)前沿的變化，只不過(guò)前沿變化較小就是了
      
作者: zhishixiang    時(shí)間: 2013-3-16 19:50
      
個(gè)人感覺(jué) 應(yīng)該像折射
      
如圖所示的一樣
      
[attach]5313[/attach]
      

      
作者: 張s    時(shí)間: 2013-3-16 20:00
      
{:soso_e163:}嗯哪，說(shuō)的有道理
      
作者: join24h    時(shí)間: 2013-3-17 16:47
      
這個(gè)有點(diǎn)不好理解，
      
對(duì)于常用厚度鋼板檢測(cè)忽略了。。
      
作者: 德德    時(shí)間: 2013-3-19 07:37
      
受益匪淺，真正的認(rèn)識(shí)了入射點(diǎn)。很好，很好。
      
作者: 青島檢測(cè)    時(shí)間: 2013-3-19 08:06
      
同意{:soso_e179:}
      
作者: kgkevin    時(shí)間: 2013-3-19 08:18
      
學(xué)習(xí)一下
      
作者: 心遠(yuǎn)路遙    時(shí)間: 2013-3-20 12:14
      
{:soso_e179:}
      
作者: nnn    時(shí)間: 2013-3-20 13:42
      
{:soso_e103:}
      
作者: 糟老頭子    時(shí)間: 2013-5-23 20:11
      
@luolang1314 
      
找到帖子了，但這個(gè)帖子討論的“入射點(diǎn)和耦合劑層的關(guān)系”和我的問(wèn)題不一樣
      
我實(shí)驗(yàn)的耦合劑種類(lèi)和厚度基本上是一樣的，但是前沿卻相差如此大，“虛擬”的入射點(diǎn)應(yīng)該是和材料種類(lèi)相關(guān)，而不是單純探頭的一個(gè)參數(shù)。 
      
作者: 焱焱    時(shí)間: 2013-5-24 12:09
      
學(xué)習(xí)一下
      
作者: 艾@尚┳→冄    時(shí)間: 2013-5-24 16:22
      
無(wú)損檢測(cè)群17112361
      
作者: 青島檢測(cè)    時(shí)間: 2013-5-25 08:09
      
{:soso_e179:}
      
作者: qianjunchi    時(shí)間: 2013-5-25 08:21
      
學(xué)習(xí)下下！
      
作者: 子善    時(shí)間: 2013-5-26 21:51
      
沒(méi)有搞明白，探討這個(gè)問(wèn)題的必要性是什么？
      
作者: 1244844404    時(shí)間: 2014-1-23 09:04
      
{:soso_e163:}
      
作者: 春華秋實(shí)    時(shí)間: 2014-1-26 09:53
      
向各位學(xué)習(xí)了
      
作者: 88518    時(shí)間: 2014-2-4 00:33
      
老李過(guò)慮，入射點(diǎn)應(yīng)該在工件表面，耦合層可以不考慮，否則測(cè)量的誤差就大了。
      
作者: ngdyp    時(shí)間: 2014-2-6 20:35
      
在工件表面
      
作者: guoguo    時(shí)間: 2014-2-8 15:19
      
{:soso_e163:}
      
作者: 〆騎豬看夕陽(yáng)︷    時(shí)間: 2014-2-11 10:34
      
新手前來(lái)學(xué)習(xí)
      
作者: 阿東    時(shí)間: 2014-2-19 08:36
      
不錯(cuò)，學(xué)習(xí)了。
      
作者: 楊會(huì)敏    時(shí)間: 2018-2-23 14:30
      
探頭上應(yīng)該是出射點(diǎn)，它也不是一個(gè)點(diǎn)，而是一個(gè)區(qū)域
      
作者: 楊會(huì)敏    時(shí)間: 2018-2-23 14:32
      
入射點(diǎn)是聲束從探頭出來(lái)后通過(guò)耦合層后到達(dá)工件表面的那部分區(qū)域
      
作者: hao010ye    時(shí)間: 2018-2-26 15:50
      
對(duì)于水浸法影響大點(diǎn)




      

      

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